Comprar Rohm Semiconductor 2SK2887TL MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

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Hojas de datos

2SK2887TL

MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

Número de pieza

2SK2887TL

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

CPT3

Disipación de energía (máx.)

20W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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