Comprar Rohm Semiconductor 2SK3065T100 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

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Hojas de datos

2SK3065T100

MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

Número de pieza

2SK3065T100

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-243AA

Paquete de dispositivo del proveedor

MPT3

Disipación de energía (máx.)

500mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

320 mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4V

Vgs (máx.)

±20V

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