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R5011ANJTL
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Número de pieza
R5011ANJTL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
LPTS
Disipación de energía (máx.)
75W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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