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R6009KNJTL
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263
Número de pieza
R6009KNJTL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-263
Disipación de energía (máx.)
94W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
535 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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