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RCD075N19TL
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Número de pieza
RCD075N19TL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
CPT3
Disipación de energía (máx.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
190V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±30V
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