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RF4E100AJTCR
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Número de pieza
RF4E100AJTCR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerUDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
HUML2020L8
Disipación de energía (máx.)
2W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
12.4 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1460pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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