La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
RQ3E130MNTB1
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Número de pieza
RQ3E130MNTB1
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
13A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8.1 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 54864 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deRQ3E130MNTB1
RQ3E130MNTB1 Componentes electrónicos
RQ3E130MNTB1 Ventas
RQ3E130MNTB1 Proveedor
RQ3E130MNTB1 Distribuidor
RQ3E130MNTB1 Tabla de datos
RQ3E130MNTB1 Fotos
RQ3E130MNTB1 Precio
RQ3E130MNTB1 Oferta
RQ3E130MNTB1 El precio más bajo
RQ3E130MNTB1 Buscar
RQ3E130MNTB1 Adquisitivo
RQ3E130MNTB1 Chip