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RQ3E180AJTB
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Número de pieza
RQ3E180AJTB
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18A (Ta), 30A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 11mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4290pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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