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RSM002P03T2L
MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Número de pieza
RSM002P03T2L
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor
VMT3
Disipación de energía (máx.)
150mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
200mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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