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RSS090P03FU7TB

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Número de pieza

RSS090P03FU7TB

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SOP

Disipación de energía (máx.)

2W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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