Comprar Rohm Semiconductor SCT3120ALGC11 MOSFET NCH 650V 21A TO247N

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SCT3120ALGC11

MOSFET NCH 650V 21A TO247N

Número de pieza

SCT3120ALGC11

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247N

Disipación de energía (máx.)

103W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

21A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 6.7A, 18V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5.6V @ 3.33mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 18V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 500V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

18V

Vgs (máx.)

+22V, -4V

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