Comprar STMicroelectronics STB34N50DM2AG MOSFET N-CH 500V 26A

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STB34N50DM2AG

MOSFET N-CH 500V 26A

Número de pieza

STB34N50DM2AG

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK

Disipación de energía (máx.)

190W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

26A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±25V

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