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STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V D2PAK
Número de pieza
STB7ANM60N
Fabricante/Marca
Serie
MDmesh™ II
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D2PAK
Disipación de energía (máx.)
45W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
363pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
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