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STD1HNC60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Número de pieza
STD1HNC60T4
Fabricante/Marca
Serie
PowerMESH™ II
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
D-Pak
Disipación de energía (máx.)
50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
228pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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