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STL9N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Número de pieza
STL9N60M2
Fabricante/Marca
Serie
MDmesh™ II Plus
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerFlat™ (5x6)
Disipación de energía (máx.)
48W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
860 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
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