La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
STP11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
Número de pieza
STP11NM80
Fabricante/Marca
Serie
MDmesh™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
43.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 38697 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deSTP11NM80
STP11NM80 Componentes electrónicos
STP11NM80 Ventas
STP11NM80 Proveedor
STP11NM80 Distribuidor
STP11NM80 Tabla de datos
STP11NM80 Fotos
STP11NM80 Precio
STP11NM80 Oferta
STP11NM80 El precio más bajo
STP11NM80 Buscar
STP11NM80 Adquisitivo
STP11NM80 Chip