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STP8NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220

Número de pieza

STP8NK100Z

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

160W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.85 Ohm @ 3.15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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