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STS10P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
Número de pieza
STS10P4LLF6
Fabricante/Marca
Serie
STripFET™ F6
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
2.7W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3525pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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