Comprar Taiwan Semiconductor Corporation ES2BAHR3G DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

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ES2BAHR3G

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Número de pieza

ES2BAHR3G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DO-214AC, SMA

Paquete de dispositivo del proveedor

DO-214AC (SMA)

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

950mV @ 2A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

10µA @ 100V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

100V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

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