Comprar Taiwan Semiconductor Corporation ES3JB M4G DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

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ES3JB M4G

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Número de pieza

ES3JB M4G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DO-214AA, SMB

Paquete de dispositivo del proveedor

DO-214AA (SMB)

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.45V @ 3A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

10µA @ 600V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

600V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

34pF @ 4V, 1MHz

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