Comprar Taiwan Semiconductor Corporation RS1DL R3G DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

RS1DL R3G

DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Número de pieza

RS1DL R3G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DO-219AB

Paquete de dispositivo del proveedor

Sub SMA

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

800mA

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.3V @ 800mA

Corriente - Fuga inversa @ Vr

5µA @ 200V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

200V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

150ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 30477 PCS

Información del contacto