Comprar Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLHM2G DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

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RS1JLHM2G

DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Número de pieza

RS1JLHM2G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DO-219AB

Paquete de dispositivo del proveedor

Sub SMA

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

800mA

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.3V @ 800mA

Corriente - Fuga inversa @ Vr

5µA @ 600V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

600V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

250ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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