Comprar Taiwan Semiconductor Corporation S1JLHR3G DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

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S1JLHR3G

DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Número de pieza

S1JLHR3G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DO-219AB

Paquete de dispositivo del proveedor

Sub SMA

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.1V @ 1A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

5µA @ 600V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

600V

Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

1.8µs

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 175°C

Capacitancia @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

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