Comprar Taiwan Semiconductor Corporation SFT18GHA0G DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

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SFT18GHA0G

DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Número de pieza

SFT18GHA0G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Box (TB)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

T-18, Axial

Paquete de dispositivo del proveedor

TS-1

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.7V @ 1A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

5µA @ 600V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

600V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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