Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCR RLG MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

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Hojas de datos

TSM110NB04LCR RLG

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Número de pieza

TSM110NB04LCR RLG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerLDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PDFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

3.1W (Ta), 68W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Ta), 54A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1269pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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