Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM120NA03CR RLG MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

TSM120NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN

Número de pieza

TSM120NA03CR RLG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PDFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

33W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

39A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

11.7 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

562pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 15267 PCS

Información del contacto