Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10CZ C0G MOSFET N-CH 100V 160A TO220

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TSM160N10CZ C0G

MOSFET N-CH 100V 160A TO220

Número de pieza

TSM160N10CZ C0G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

160A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9840pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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