Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CW RPG MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

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TSM1NB60CW RPG

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223

Número de pieza

TSM1NB60CW RPG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-223

Disipación de energía (máx.)

39W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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