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TSM2N7000KCT A3G

TSM2N7000KCT A3G

MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Número de pieza
TSM2N7000KCT A3G
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Box (TB)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-92
Disipación de energía (máx.)
400mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
300mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7.32pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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