Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N100CP ROG MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252

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TSM3N100CP ROG

MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252

Número de pieza

TSM3N100CP ROG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-252, (D-Pak)

Disipación de energía (máx.)

99W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

664pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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