Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG MOSFET N-CH 600V 18A TO263

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TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Número de pieza

TSM60NB190CM2 RNG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263 (D²Pak)

Disipación de energía (máx.)

150.6W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

18A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1273pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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