Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P03CX RFG MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23

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TSM650P03CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23

Número de pieza

TSM650P03CX RFG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-23

Disipación de energía (máx.)

1.56W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

900mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 10V

Vgs (máx.)

±12V

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