Comprar Texas Instruments CSD16301Q2 MOSFET N-CH 25V 6-SON

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Hojas de datos

CSD16301Q2

MOSFET N-CH 25V 6-SON

Número de pieza

CSD16301Q2

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-SMD, Flat Leads

Paquete de dispositivo del proveedor

6-SON

Disipación de energía (máx.)

2.3W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.55V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 12.5V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

3V, 8V

Vgs (máx.)

+10V, -8V

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