Comprar Texas Instruments CSD17579Q3AT MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

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CSD17579Q3AT

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Número de pieza

CSD17579Q3AT

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-VSONP (3x3.15)

Disipación de energía (máx.)

3.2W (Ta), 29W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.9V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

998pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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