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CSD18511KTTT

CSD18511KTTT

40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS
Número de pieza
CSD18511KTTT
Fabricante/Marca
Serie
NexFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Paquete de dispositivo del proveedor
DDPAK/TO-263-3
Disipación de energía (máx.)
188W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
110A (Ta), 194A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5940pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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