Comprar Texas Instruments CSD19538Q2T MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

CSD19538Q2T

MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Número de pieza

CSD19538Q2T

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-WDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

6-WSON (2x2)

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

13.1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.8V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

454pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 47081 PCS

Información del contacto