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CSD19538Q3AT

CSD19538Q3AT

MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Número de pieza
CSD19538Q3AT
Fabricante/Marca
Serie
NexFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-VSONP (3x3.15)
Disipación de energía (máx.)
2.8W (Ta), 23W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
15A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
454pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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