Comprar Texas Instruments CSD25303W1015 MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

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CSD25303W1015

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Número de pieza

CSD25303W1015

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-UFBGA, DSBGA

Paquete de dispositivo del proveedor

6-DSBGA (1x1.5)

Disipación de energía (máx.)

1.5W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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