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CSD85312Q3E
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Número de pieza
CSD85312Q3E
Fabricante/Marca
Serie
NexFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Potencia - Máx.
2.5W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-VSON (3.3x3.3)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Función FET
Logic Level Gate, 5V Drive
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
39A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2390pF @ 10V
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