Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380(F) MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

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2SJ380(F)

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

Número de pieza

2SJ380(F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220NIS

Disipación de energía (máx.)

35W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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