Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668(TE16L1,NQ) MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

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2SJ668(TE16L1,NQ)

MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

Número de pieza

2SJ668(TE16L1,NQ)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

PW-MOLD

Disipación de energía (máx.)

20W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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