Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866(F) MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

2SK2866(F)

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

Número de pieza

2SK2866(F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

750 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 9081 PCS

Información del contacto