Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3128(Q) MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN

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2SK3128(Q)

MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN

Número de pieza

2SK3128(Q)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-3P-3, SC-65-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-3P(N)

Disipación de energía (máx.)

150W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

60A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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