Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3313(Q) MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

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2SK3313(Q)

MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

Número de pieza

2SK3313(Q)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220NIS

Disipación de energía (máx.)

40W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

620 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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