Toshiba Semiconductor and Storage
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TK12A60U(Q,M)
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TK12A60U(Q,M)

MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Número de pieza
TK12A60U(Q,M)
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSII
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220SIS
Disipación de energía (máx.)
35W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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