Toshiba Semiconductor and Storage
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TK14N65W5,S1F
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TK14N65W5,S1F

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247
Número de pieza
TK14N65W5,S1F
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247
Disipación de energía (máx.)
130W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
13.7A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 690µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 300V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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