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IRFD210PBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Número de pieza
IRFD210PBF
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Disipación de energía (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
600mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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