La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFDC20PBF
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Número de pieza
IRFDC20PBF
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Disipación de energía (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
320mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 49436 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFDC20PBF
IRFDC20PBF Componentes electrónicos
IRFDC20PBF Ventas
IRFDC20PBF Proveedor
IRFDC20PBF Distribuidor
IRFDC20PBF Tabla de datos
IRFDC20PBF Fotos
IRFDC20PBF Precio
IRFDC20PBF Oferta
IRFDC20PBF El precio más bajo
IRFDC20PBF Buscar
IRFDC20PBF Adquisitivo
IRFDC20PBF Chip