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SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Número de pieza
SI4590DY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2.4W, 3.4W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.4A, 2.8A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
57 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 50V
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Palabras clave deSI4590DY-T1-GE3
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