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SI8445DB-T2-E1

SI8445DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
Número de pieza
SI8445DB-T2-E1
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
4-XFBGA, CSPBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
4-Microfoot
Disipación de energía (máx.)
1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
84 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
850mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.2V, 4.5V
Vgs (máx.)
±5V
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